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　　证券时报记者 叶玲珍

　　7月11日晚间，星河微电（688689）发布公告，公司拟以3.1亿元投资推广“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房开荒边幅”，旨在普及公司集成电路分立器件产物的坐褥加工智商，扩大坐褥界限。

　　公告清晰，本次投资资金着手为公司自有资金或自筹资金，开荒周期30个月，权术通过购置地皮及开展厂房土建工程，为后续高端集成电路分立器件产业化基地开荒奠定基础。

　　动作国内跨越的半导体分立器件制造商，星河微电主要产物包括小信号器件、功率器件、光电器件、电源惩办IC收用三代半导体（SiC、GaN）器件，产物浅薄控制于汽车电子、消耗电子、工业限度、新动力及5G通讯等领域。

　　连年来，受益于卑劣需求的康健运转，我国半导体分立器件行业市集界限赓续扩大，业内企业接踵得益红利。2022年至2024年，星河微电贸易收入划分为6.76亿元、6.95亿元、9.09亿元，呈逐年上涨态势。公司暗意，受坐褥处所、开荒及东说念主力资源的限制，现时产能已难以称心日益增长的市集需求，本次鼓吹斟酌半导体分立器件产能界限推广，可促进业务发展，进一步普及盈利水平。

　　现在，硅材料平台仍然是主流的半导体分立器件工艺平台，并将在改日十分一段时候内占据主要市集，但新的半导体材料，如SiC、GaN工艺平台正在逐渐走向熟识，并在新动力汽车、光伏逆变器等场景的控制占比权贵普及。

　　2024年，公司应时优化产物结构，要点普及MOS产物、TVS及稳压管产物的销售占比，推动产销量稳步增长，高出是在车规级半导体器件产业化边幅方面，客户拓展取得权贵顽固。与此同期，进一步鼓吹光电器件及IGBT器件扩产，加大对新增开荒参预。

　　为抢持市集机遇，星河微电赓续加速高端产物研发及产业化经由。现在，公司初步具备SiC MOSFET及GaN HEMT芯片谋略智商，何况收场了小批量控制。

　　在新产业布局方面，星河微电“车规级半导体器件产业化”边幅进入产能爬坡阶段，产物涵盖IGBT、SiC MOSFET等，取得多家车企供应链认证，聚焦新动力汽车的电机限度、车载充电系统及ADAS领域，称心AEC-Q101等国际车规规律，逐渐替代英飞凌、安森好意思等国外厂商的中高端市集份额。同期，光电耦合器及LED产物已控制于工业自动化、医疗开荒等领域， 并与多家客户配合，开发高精度传感器及电源惩办模块。

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